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北京君正申请基于分块中Oram by pass无冗余计算时间的设计方法专利，不产生任何冗余计算
塞纳帕利临床3期研究数据荣登国际顶级医学期刊《Nature Medicine》，有望成为晚期卵巢癌全人群一线维持治疗新选择
三星电子计划在2026年推出最后一代10nm级工艺1d nm
最强骁龙8至尊版双芯旗舰！REDMI K80 Pro前台性能暴增43%
上海证券：CCL迎涨价潮 持续关注AI PCB上游材料机会
上海为旌半导体申请电子设备功耗管理相关专利 增强电子设备续航能力
山东浪潮科学研究院申请基于FPGA的协同存储系统和方法专利 显著提升存储速度
北京算能科技申请内存控制器发送命令的读写切换方法等专利 提高
DDR
的数据通道利用率
得润电子：主要围绕CPU Socket、
DDR
等核心产品发展高速传输连接器业务
剑桥通信取得
DDR
电压温度4-corner测试Vref电压拉偏电路专利，提高测试效率
得润电子(002055.SZ)：主要围绕CPU Socket、
DDR
等核心产品发展高速传输连接器业务
高通申请用于多模式双倍数据速率同步动态随机存取存储器的
DDR
PHY功率崩溃电路专利，发送器电路可在特定情况下进行相关操作
芯忆联申请SSD业务场景下
DDR
动态切频方法专利，实现
DDR
SDRAM快速切频操作
北京坤驰科技申请基于XDMA的随机触发式数据流传输方法及装置专利 实现周期性PCIe中断
成都芯忆联申请可控温度的SSD
DDR
眼图测试方法专利，解决传统测试技术导致数据存储可靠性低的问题
深圳佰维取得
DDR
测试设备及压合部件专利
展讯通信申请通信芯片及其
DDR
访问方法等专利，提高带宽利用率
飞腾申请一种行激活方法、
DDR
控制器及片上系统专利，提高内存访问效率
芯思原取得
DDR
控制器校验错误重传系统专利
灿芯半导体取得
DDR
主机低延迟小面积读数据通路专利
西安太乙申请一种实现Zynq器件在RAM上运行的专利，能够实现Zynq器件的快速运行
集邦咨询：CSPs将扩大边缘AI发展 带动2025年NB DRAM平均搭载容量增幅至少达7%
存储芯片需求炸裂！ 韩国芯片库存惊现10年来最大降幅
DDR
载入史册 特殊游戏外设你玩过几个
产能大增：国产17nm
DDR
内存即将出货
国产
DDR
4内存即将来袭 进展迅速
ZOL中关村在线
得润电子(002055.SZ)：目前主要围绕CPU Socket、
DDR
等核心产品发展高速传输连接器业务
铂科新材(300811.SZ)：芯片电感市场将由GPU逐步导入AI PC、AI手机、
DDR
、新能源汽车、智能驾驶等更多应用半导体芯片的各个领域
灿芯股份(688691.SH)：基于28nmHKC+工艺的72bitDDR、LPDDRIP设计验证成功
振华风光(688439.SH)：公司存储芯片包含NAND FLASH等类型
数据中心爆发 国产
DDR
IP前景广阔
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