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  消息称三星下代400+层V-NAND 2026年推出，0a DRAM采用VCT结构
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  SK海力士：内存EUV光刻成本快速增长，考虑转向4F2或3D DRAM
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  SK海力士计划开发4F2结构DRAM以缩减成本 |快报

  金融界
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  消息称三星已组建开发团队 以量产4F2结构DRAM
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  TechInsights：3D、4F2等新结构DRAM内存有望于0C节点量产

• 消息称三星已组建开发团队，以量产4F2结构DRAM
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  TechInsights：2027年底DRAM预计将迈入个位数纳米技术节点

• 机构：预计2027年底DRAM将迈入个位数纳米技术节点

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